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详细数据请看参考数据手册
- 型号： KSC5302DTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSC5302DTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSC5302DTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSC5302DTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSC5302DTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSC5302DTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSC5302DTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型高电压、高增益双极结型晶体管（BJT），主要面向中等功率开关与线性放大应用。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）中的次级侧驱动或辅助电源控制，得益于其高集电极-发射极击穿电压（VCEO = 120 V）和较高电流能力（IC = 2 A），适用于中小功率DC-DC转换器的开关管或栅极驱动级； - 电机驱动电路（如小型直流风扇、步进电机细分驱动中的电流调节级），利用其良好的开关特性和饱和压降低（VCE(sat) ≈ 0.5 V @ IC = 1 A）； - 工业控制板中的信号放大与继电器/电磁阀驱动，凭借高直流电流增益（hFE = 100–320 @ IC = 0.5 A），可实现微控制器IO口直接驱动负载； - 消费电子适配器、LED恒流驱动的反馈或保护电路（如过流检测开关、基准电压切换）； - 音频设备中的前置放大或输出缓冲级（限于中低频、非Hi-Fi要求场景）。 该器件采用TO-220AB封装，具备良好散热性，但需注意合理设计PCB铜箔面积与散热片配合。不推荐用于高频射频或精密模拟运算场合。实际使用时应参考ON Semiconductor官方数据手册进行热设计与安全工作区（SOA）校验。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 400V 2A TO-220 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | KSC5302DTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 1A，1V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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