【未分类_KSB834O】封装/厂家_KSB834O中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： KSB834O
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供KSB834O由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSB834O价格参考。Fairchild SemiconductorKSB834O封装/规格：未分类，暂无。您可以下载KSB834O参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSB834O 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

KSB834O 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号主要应用于需要高效开关和信号放大的场景，以下是其典型应用场景：

1. 电源管理：  
   KSB834O 适合用于低功耗的电源管理系统中，例如 DC-DC 转换器、线性稳压器或负载开关电路。其优异的开关性能和低饱和电压特性使其能够高效地控制电流流动。

2. 信号放大：  
   在音频设备、传感器接口或其他需要小信号放大的应用中，KSB834O 可提供稳定的增益性能，适用于前置放大器或缓冲器设计。

3. 电机驱动：  
   该晶体管可用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件来控制电机的启停和转速调节。

4. 开关电路：  
   在逻辑电平驱动的开关电路中，KSB834O 能够快速响应并实现高效的电流切换，适用于继电器驱动、LED 驱动等场合。

5. 保护电路：  
   该型号可以用于过流保护、短路保护或热关断电路中，确保系统在异常情况下安全运行。

6. 通信设备：  
   在低频通信电路中，KSB834O 可用作信号调制解调或功率放大器的一部分。

KSB834O 的设计注重高可靠性与稳定性，适用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。选择此型号时，需根据具体电路需求考虑其最大电流、电压和频率参数，以确保最佳性能表现。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR PNP 60V 3A TO-220两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSB834O-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	KSB834O
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1V @ 300mA，3A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	60 @ 500mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-220
功率-最大值	1.5W
包装	散装
发射极-基极电压VEBO	- 7 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	9 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	200
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	30 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	3 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	200
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	200
直流集电极/BaseGainhfeMin	60
系列	KSB834
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 60 V
集电极—基极电压VCBO	- 60 V
集电极连续电流	- 3 A
频率-跃迁	9MHz