【未分类_KSB1366G】封装/厂家_KSB1366G中文资料_价格

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型号： KSB1366G
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供KSB1366G由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSB1366G价格参考。Fairchild SemiconductorKSB1366G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载KSB1366G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSB1366G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

KSB1366G（Fairchild Semiconductor，现属onsemi）是一款PNP型硅外延平面双极结型晶体管（BJT），主要面向中功率开关与线性放大应用。其典型参数包括：VCEO = −200 V，IC = −2 A，PCM ≈ 25 W（带散热器），fT ≈ 4 MHz，hFE（β）为30–240（IC = −1 A时）。  

该器件常用于：  
1. 开关电源（SMPS）中的高压侧驱动或保护电路，如反激式/正激式变换器的辅助开关或过流检测开关；  
2. 音频功率放大器的互补输出级（与NPN型如KSD1366配对），适用于中小功率AB类功放；  
3. 工业控制中的继电器驱动、电机换向控制及电磁阀驱动电路，利用其高耐压与足够电流能力实现可靠通断；  
4. 电子镇流器、荧光灯/LED驱动电路中的高频振荡与开关模块；  
5. 电源管理中的过压/过流保护电路中的采样与关断开关。  

需注意：KSB1366G为TO-220封装，使用时须加装合适散热器；设计中应确保基极驱动能力充足（推荐IB ≥ IC/10以保证饱和导通），并避免二次击穿风险（尤其在感性负载下需加续流二极管）。目前该型号已停产，替代方案可考虑onsemi的MJD127（同封装、相近参数）或查阅官方推荐的Pin-to-Pin兼容型号。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 60V 3A TO-220F
产品分类	晶体管(BJT) - 单路
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	KSB1366G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1V @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	150 @ 500mA，5V
供应商器件封装	TO-220F
功率-最大值	2W
包装	散装
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 整包
晶体管类型	PNP
标准包装	200
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	-
频率-跃迁	9MHz