图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供JM38510/23103BFA由National Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JM38510/23103BFA价格参考。National SemiconductorJM38510/23103BFA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JM38510/23103BFA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JM38510/23103BFA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JM38510/23103BFA 是一款符合美军标(MIL-STD-883)的高速双极型静态随机存取存储器(SRAM),由多家美国半导体厂商(如Texas Instruments、Fairchild等)生产,属于“-”品牌(即无独立商业品牌,属军用标准器件,常以制造商代号或JAN(Joint Army-Navy)编号标识)。其分类为存储器,具体为1K × 4位(共4Kbit)异步SRAM,工作温度范围宽(-55℃~+125℃),抗辐射、高可靠性,具备抗冲击、抗振动及长期稳定性。 典型应用场景集中于高可靠、长寿命、严苛环境下的军工与航天电子系统,包括: • 导弹制导控制系统中的实时数据缓存与暂存; • 卫星姿态控制单元(ADCS)和星载计算机的本地工作内存; • 军用航空电子设备(如雷达信号处理器、飞控计算机)中对时序确定性要求极高的缓冲存储; • 核设施监测系统、深海探测器等无法维护或维修困难场景下的嵌入式存储模块; • 老旧军用平台(如F-16早期航电、M1坦克火控系统)的备件替换与加固升级。 该器件已逐步被更先进、低功耗、大容量的抗辐照SRAM(如RHBD工艺产品)替代,但在存量装备维护、合规性替换及特定抗单粒子翻转(SEU)需求场景中仍具不可替代性。注意:其非商用级产品,不适用于消费电子或普通工业领域。