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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供JANTXV1N6471US由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANTXV1N6471US价格参考。MICRO-SEMIJANTXV1N6471US封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JANTXV1N6471US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JANTXV1N6471US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的JANTXV1N6471US属于TVS(瞬态电压抑制)二极管类别,主要应用于需要高可靠性、高耐压和快速响应的电路保护场景。以下是该型号的具体应用场景: 1. 军事和航空航天领域 - JANTXV1N6471US符合军用标准(JANTXV),专为极端环境设计,适用于航天器、导弹系统、雷达设备以及军用通信设备中的过电压保护。 - 它可以保护敏感电子元件免受雷击、电磁脉冲(EMP)或电源浪涌的影响。 2. 数据通信与网络设备 - 在光纤通信、卫星通信或其他高速数据传输系统中,用于保护接口电路免受静电放电(ESD)和瞬态电压的损害。 - 确保信号完整性并延长设备寿命。 3. 电源管理系统 - 应用于DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)等场合,防止因电压波动或短路导致的损坏。 - 提供对负载突降(Load Dump)和其他异常情况的有效防护。 4. 工业自动化 - 在工业控制设备、机器人技术及传感器模块中,作为关键组件的保护装置,抵御外部干扰源引起的电压尖峰。 5. 汽车电子 - 虽然此型号主要用于军工级应用,但在高端汽车电子系统中也可能使用类似规格的产品来保护CAN总线、LIN总线及其他车载网络免受电气干扰。 特性总结: - 高可靠性:适合恶劣工作条件。 - 快速响应时间:能迅速抑制瞬态电压。 - 低漏电流:减少对正常电路运行的影响。 - 宽温度范围:适应从极寒到高温的各种环境。 总之,JANTXV1N6471US是一款针对高性能需求设计的TVS二极管,广泛应用于要求极高稳定性和安全性的高科技领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 22.6VC GSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11067-sd51a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JANTXV1N6471US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | G-MELF (D-5C) |
| 其它名称 | 1086-3009 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF, G |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 13.6V |
| 电压-反向关态(典型值) | 12V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 22.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 374A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |