Datasheet下载- 型号： JANTXV1N6114US
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JANTXV1N6114US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANTXV1N6114US价格参考。MICRO-SEMIJANTXV1N6114US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JANTXV1N6114US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JANTXV1N6114US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的JANTXV1N6114US是一款瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于电路中保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态电压等高能量事件的损害。 该型号属于军用级器件（JANTXV代表美国军用标准等级），具有较高的可靠性和稳定性，适用于对性能与可靠性有严格要求的应用场景。其主要应用场景包括： 1. 军事与航空航天系统：如雷达、通信设备、导航系统等，在恶劣电磁环境中提供稳定的电压保护。 2. 工业控制系统：用于PLC、电机驱动器、传感器接口等，防止因开关操作或雷击引起的电压瞬变损坏设备。 3. 电源管理系统：在直流电源输入端作为保护器件，吸收可能进入系统的瞬态高压。 4. 通信基础设施：如基站、交换设备中，保护数据线与电源线路免受静电与浪涌影响。 5. 测试与测量仪器：用于高精度仪表中，防止误操作或外部干扰导致的电压尖峰损坏内部电路。 总之，JANTXV1N6114US因其高可靠性与优异的瞬态响应能力，广泛应用于需要高性能电路保护的高端领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 16.7VWM BSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JANTXV1N6114US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2898 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 19.86V |
| 电压-反向关态（典型值） | 16.7V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 32.03V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 15.58A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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