Datasheet下载- 型号： JAN1N6470US
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6470US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6470US价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6470US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JAN1N6470US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JAN1N6470US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JAN1N6470US是Semtech Corporation生产的一款半导体器件，属于军用级（JAN，Joint Army-Navy）产品系列。该型号归类为“其他”类别，通常指特殊用途的二极管或保护器件。其主要应用场景集中在高可靠性、高稳定性的军工与航空航天电子系统中。 JAN1N6470US常用于电源管理、信号保护和浪涌抑制等电路中，适用于极端温度、强振动和高辐射等恶劣环境。典型应用包括军用通信设备、雷达系统、卫星通信终端、飞行控制系统及导弹导航装置中的电路保护。由于其具备严格的军用标准认证（如MIL-PRF-19500），确保了长期运行的可靠性与一致性，因此广泛应用于需要长寿命和零故障率的关键任务系统。 此外，该器件也适用于部分高端工业设备和深空探测仪器，尤其是在不允许维护和更换元器件的封闭系统中。其封装形式和电气特性符合高真空和抗辐射设计要求，适合在空间环境中稳定工作。 总之，JAN1N6470US主要用于国防、航天及高可靠性工业领域，作为关键电路中的保护或功能元件，保障系统在极端条件下的正常运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 11VC GSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11067-sd51a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6470US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | G-MELF （D-5C） |
| 其它名称 | 1086-2285 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， G |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.5V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 11V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 775A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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