| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6109AUS由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6109AUS价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6109AUS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JAN1N6109AUS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JAN1N6109AUS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JAN1N6109AUS 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下品牌)生产的一款瞬态电压抑制器(TVS)二极管。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其它瞬态电压的损害。 其典型应用场景包括: 1. 航空航天与军工设备:由于该型号属于 JAN 系列(美国军用规格认证),适用于高可靠性要求的军事、航空电子系统,如雷达、通信设备、导航系统等。 2. 电源与接口保护:可用于直流电源输入端口、信号线路或数据接口(如 RS-485、CAN 总线)中,防止因瞬态高压导致的电路损坏。 3. 工业控制系统:在工业自动化设备中,用于保护 PLC(可编程逻辑控制器)、传感器和执行器接口免受外部电磁干扰引起的电压尖峰影响。 4. 测试与测量仪器:用于高精度测试设备中,确保设备在复杂电磁环境中稳定工作。 该器件具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等特点,适合需要高水平电路保护的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC SQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6109AUS |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2155 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF, B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 12.35V |
| 电压-反向关态(典型值) | 9.9V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 18.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 27.5A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |