Datasheet下载- 型号： J112RL1
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J112RL1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J112RL1价格参考。ON SemiconductorJ112RL1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载J112RL1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J112RL1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 J112RL1 是一款 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、中低频模拟信号处理场景。其典型应用包括： - 音频前置放大器：凭借高输入阻抗（>10⁹ Ω）和低栅极电流特性，适合麦克风、拾音器等高阻抗信号源的缓冲与放大，减少信号衰减； - 模拟开关与多路复用器：利用其电压控制导通/截止的特性，实现低失真、无闩锁的信号切换； - 恒流源电路：配合外部电阻可构建简单稳定的偏置电流源，用于LED驱动或运算放大器偏置； - 射频检波与混频（低频段）：在AM收音机等低频RF电路中作包络检波器； - 振荡器与定时电路：如在弛张振荡器（如UJT替代方案）中提供可调充放电路径。 J112RL1 具有低功耗（IDSS 约 5–15 mA，VP ≈ −0.5 至 −5 V）、宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C）及符合AEC-Q101标准的汽车级版本（部分封装），因此也适用于车载音频系统、工业传感器接口及消费类电子（如电子琴、效果器）等对可靠性与噪声敏感的场合。注意其为通孔封装（TO-92），设计时需兼顾散热与布局噪声抑制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | J112RL1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 50 欧姆 |
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