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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTN22N100L由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTN22N100L价格参考。IXYSIXTN22N100L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTN22N100L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTN22N100L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTN22N100L是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单个晶体管类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS) - IXTN22N100L具有高电压耐受能力(1000V击穿电压),适合用于开关电源中的高压开关元件,例如隔离式DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器。 - 其低导通电阻(典型值为2.2Ω)有助于减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动与控制 - 可用于高压电机驱动电路中,作为功率开关来控制电机的启动、停止和速度调节。 - 在工业自动化设备、家用电器(如洗衣机、空调等)中,该器件可用于驱动小型或中型电机。 3. 逆变器与变频器 - 适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和其他需要高频开关的逆变器应用。 - 在变频器中,该MOSFET可用于调整输出频率和电压,以适应不同负载需求。 4. 电磁阀与继电器驱动 - 高压特性使其能够驱动需要较高工作电压的电磁阀和继电器。 - 常见于工业控制系统、汽车电子和家用电器中。 5. 负载切换与保护 - 用于高压负载的切换和保护电路中,例如在通信设备、医疗设备和测试仪器中。 - 能够快速响应过流或短路情况,提供保护功能。 6. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,可用于启动电路、照明控制、燃油喷射系统等高压场景。 - 具备良好的热稳定性和耐用性,适合恶劣环境下的应用。 7. 脉冲宽度调制(PWM)电路 - 可用作PWM信号的功率放大器,驱动各种负载,如LED灯条、加热元件等。 总结来说,IXTN22N100L凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子和消费类电子产品中,特别是在需要高效能和高可靠性的高压场景下表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227MOSFET 22 Amps 1000V |
产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
Id-连续漏极电流 | 22 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTN22N100L- |
数据手册 | |
产品型号 | IXTN22N100L |
Pd-PowerDissipation | 700 W |
Pd-功率耗散 | 700 W |
Qg-GateCharge | 270 nC |
Qg-栅极电荷 | 270 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7050pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 15V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 11A,20V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-227B |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
功率-最大值 | 700W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 38 g |
商标 | IXYS |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
封装/箱体 | SOT-227B-4 |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 10 |
正向跨导-最小值 | 4.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A |
系列 | IXTN22N100 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |