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  • 型号: IXTC200N10T
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTC200N10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTC200N10T价格参考。IXYSIXTC200N10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTC200N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTC200N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXTC200N10T

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMV™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

152nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.3 毫欧 @ 50A,10V

供应商器件封装

ISOPLUS220™

功率-最大值

160W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

ISOPLUS220™

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

101A (Tc)

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型号:EKIT01-HMC833LP6GE

品牌:Analog Devices Inc.

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