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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXKC40N60C由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXKC40N60C价格参考。IXYSIXKC40N60C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXKC40N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXKC40N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXKC40N60C是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管类型,常用于高功率开关应用。该器件具有较高的电流和电压承受能力,适用于需要高效能和高可靠性的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效转换和调节电能。 2. 电机驱动器:在工业自动化和电机控制中作为功率开关,控制电机的启停和转速。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器或UPS不间断电源中,将直流电转换为交流电。 4. 电动汽车相关应用:如车载充电器、电池管理系统中的功率控制部分。 5. 工业控制系统:在变频器、焊接设备、高频电源等工业设备中作为主开关元件。 该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合在高频率和大功率环境下工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXKC40N60CCoolMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXKC40N60C |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 960 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 960 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 95 毫欧 @ 28A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS220™ |
| 典型关闭延迟时间 | 67 ns |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | COOLMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | ISOPLUS220™ |
| 封装/箱体 | ISOPLUS 220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Tc) |
| 系列 | IXKC40N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |