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  • 型号: IXKC40N60C
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXKC40N60C由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXKC40N60C价格参考。IXYSIXKC40N60C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXKC40N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXKC40N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXKC40N60C是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管类型,常用于高功率开关应用。该器件具有较高的电流和电压承受能力,适用于需要高效能和高可靠性的场合。

其主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效转换和调节电能。
2. 电机驱动器:在工业自动化和电机控制中作为功率开关,控制电机的启停和转速。
3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器或UPS不间断电源中,将直流电转换为交流电。
4. 电动汽车相关应用:如车载充电器、电池管理系统中的功率控制部分。
5. 工业控制系统:在变频器、焊接设备、高频电源等工业设备中作为主开关元件。

该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合在高频率和大功率环境下工作。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

超级结

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

24 A

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXKC40N60CCoolMOS™

数据手册

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产品型号

IXKC40N60C

Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

960 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

960 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5 ns

下降时间

4.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 2mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

230nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

95 毫欧 @ 28A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ISOPLUS220™

典型关闭延迟时间

67 ns

功率-最大值

-

包装

管件

商标

IXYS

商标名

COOLMOS

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

ISOPLUS220™

封装/箱体

ISOPLUS 220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

28A (Tc)

系列

IXKC40N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

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