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  • 型号: IXGK64N60B3D1
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXGK64N60B3D1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGK64N60B3D1价格参考。IXYSIXGK64N60B3D1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGK64N60B3D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGK64N60B3D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

25ns/138ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

400A

描述

IGBT 600V 460W TO264IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

168nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 模块,IXYS IXGK64N60B3D1GenX3™

数据手册

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产品型号

IXGK64N60B3D1

SwitchingEnergy

1.5mJ(开),1mJ(关)

TestCondition

480V,50A,3 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.8V @ 15V,50A

产品种类

IGBT 模块

供应商器件封装

TO-264 (IXGK)

功率-最大值

460W

功率耗散

460 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

35ns

商标

IXYS

商标名

GenX3

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

TO-264-3

工厂包装数量

25

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

系列

IXGK64N60

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

600 V

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