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- 型号： IXFB30N120Q2
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB30N120Q2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB30N120Q2价格参考。IXYSIXFB30N120Q2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFB30N120Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFB30N120Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFB30N120Q2是一款高压、高功率的N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有1200V的高漏源击穿电压和30A的连续漏极电流能力，适用于高电压、大功率开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 工业电源系统：广泛用于高压开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器中，因其具备高耐压和低导通电阻特性，能有效提升电源效率并减少热损耗。 2. 电机驱动：适用于交流/直流电机控制，如工业电机驱动器和电动工具，支持高频开关操作，有助于实现精确的PWM调速控制。 3. 可再生能源系统：常用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换环节，能够承受高母线电压并实现高效能量转换。 4. 感应加热与电磁炉：在高频谐振电路中作为主开关元件，利用其快速开关特性和高耐压性能，提高加热效率。 5. 高压脉冲应用：如激光驱动器、电焊机和医疗设备中的高压电源模块，适合需要快速响应和高可靠性的场合。 6. 电动汽车与充电桩：在部分车载充电系统或直流充电桩的辅助电源中也有应用。 IXFB30N120Q2采用TO-247封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合在严苛工业环境下长期稳定运行。其优化的栅极设计降低了开关损耗，提高了系统整体效率，是高压功率应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXFB30N120Q2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS264™ |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | ISOPLUS264™ |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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