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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXDH35N60BD1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXDH35N60BD1价格参考。IXYSIXDH35N60BD1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXDH35N60BD1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXDH35N60BD1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXDH35N60BD1是一款高电压、大电流的MOSFET晶体管,属于IGBT和MOSFET单管类别。该器件主要应用于需要高效能功率转换和控制的场合,典型应用场景包括: 1. 工业电源与变频器:用于高频开关电源、逆变器及电机驱动系统中,提供高效的能量转换与稳定的功率输出。 2. 电动汽车与充电设备:在车载充电器、DC-DC转换器及充电桩系统中作为核心开关元件,支持高电压平台下的稳定运行。 3. 可再生能源系统:如光伏逆变器和风力发电变流器,用于将直流电高效转换为交流电并网使用。 4. 家电与白色家电:在变频空调、电磁炉等产品中用于电机控制和功率调节,提升能效与响应速度。 5. UPS不间断电源:在逆变电路中实现快速切换与稳定输出,保障电力中断时的持续供电。 该器件具备低导通压降、高可靠性和优良的热稳定性,适合在高频率、高效率和高功率密度的电力电子装置中使用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 70A |
| 描述 | IGBT 600V 60A 250W TO247ADIGBT 晶体管 35 Amps 600V |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXDH35N60BD1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXDH35N60BD1 |
| SwitchingEnergy | 1.6mJ (开), 800µJ (关) |
| TestCondition | 300V, 35A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,35A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXDH) |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 反向恢复时间(trr) | 40ns |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
| 系列 | IXDH35N60B |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |