Datasheet下载- 型号： IXBT10N170
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBT10N170由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBT10N170价格参考。IXYSIXBT10N170封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXBT10N170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXBT10N170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 35ns/500ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 1700V 20A 140W TO268IGBT 晶体管 10 Amps 1700V 2.3 Rds |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 30nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBT10N170BIMOSFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXBT10N170 |
| SwitchingEnergy | 6mJ（关） |
| TestCondition | 1360V， 10A， 56 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.8V @ 15V，10A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 反向恢复时间(trr) | 360ns |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | BIMOSFET |
| 在25C的连续集电极电流 | 20 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 系列 | IXBT10N170 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.4 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
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