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- 型号： ISL9N307AS3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N307AS3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N307AS3ST价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N307AS3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL9N307AS3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL9N307AS3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9N307AS3ST 是由 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的单通道N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约1.8Ω @ Vgs=10V）、低栅极电荷（Qg≈5.5nC）及30V耐压，适合低压、中电流开关应用。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑中的负载开关、电池保护电路或USB端口过流/反向阻断； 2. DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压拓扑中提升效率（尤其在12V→3.3V/5V等低压输出场景）； 3. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的PWM调光开关，响应快、功耗低； 4. 逻辑电平接口与信号切换：兼容3.3V/5V MCU GPIO直接驱动，适用于I/O扩展、传感器使能控制等； 5. 电机驱动辅助电路：如小功率直流电机（如风扇、振动马达）的H桥低端开关或使能控制。 该器件具备ESD保护（HBM ≥2kV），热性能稳定，SOT-23封装节省PCB空间，适用于高密度、电池供电类紧凑型设计。需注意其连续漏极电流（ID）为0.7A（Tc=25°C），实际应用中应结合散热条件降额使用。
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