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- 型号： ISL6610IRZ-T
- 制造商： Intersil
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL6610IRZ-T由Intersil设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL6610IRZ-T价格参考。IntersilISL6610IRZ-T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL6610IRZ-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL6610IRZ-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL6610IRZ-T是Renesas（原Intersil）推出的双路高频同步降压MOSFET栅极驱动器，属PMIC（电源管理集成电路）中的栅极驱动器类别。其典型应用场景聚焦于高效率、高密度DC-DC电源转换系统，尤其适用于为微处理器、ASIC、FPGA等数字负载提供核心供电的多相VRM（Voltage Regulator Module）解决方案。 该器件支持高达1.5MHz开关频率，具备独立的高端（HSD）与低端（LSD）驱动输出，可高效驱动N沟道MOSFET组成的同步整流拓扑；内置自举二极管、欠压锁定（UVLO）、抗击穿（shoot-through）保护及快速关断功能，提升系统可靠性。采用SOIC-8封装（IRZ后缀），带散热焊盘，兼顾性能与热管理。 主要应用包括：服务器/工作站CPU/GPU供电模块、通信设备（如基站电源、网络交换机）的POL（Point-of-Load）转换器、工业控制板卡及高端嵌入式系统的内核电压调节。因其支持多相并联扩展（需搭配PWM控制器如ISL63xx系列），常作为高性能VRM方案的关键驱动级，满足低电压（如0.8–1.8V）、大电流（每相可达30A+）、动态响应快、纹波要求严苛的场景需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 16-QFN |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ISL6610IRZ-T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 16-QFN-EP（4x4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 延迟时间 | 18ns |
| 标准包装 | 6,000 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电流-峰值 | - |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 4 |
| 配置 | 高端和低端，同步 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 36V |
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