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- 型号： ISL6608CBZ
- 制造商： Intersil
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL6608CBZ由Intersil设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL6608CBZ价格参考。IntersilISL6608CBZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL6608CBZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL6608CBZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL6608CBZ是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的双通道、高速、低侧MOSFET栅极驱动器，专为同步降压转换器中的下管（low-side）驱动优化。其典型应用场景包括： - CPU/GPU核心供电（VRM）：常用于服务器、台式机及高端笔记本的多相同步BUCK稳压模块中，驱动下桥NMOS，配合上管驱动器（如ISL6612）实现高效电源管理； - DC-DC POL（负载点）转换器：适用于通信设备、网络交换机、FPGA/ASIC供电等对动态响应和效率要求高的场景； - 工业与嵌入式电源系统：如PLC、电机控制板、医疗设备电源模块中，驱动高频开关的功率MOSFET，支持高达1.5A峰值拉/灌电流和纳秒级传播延迟（典型25ns），确保开关时序精准、减少交叉导通风险； - 支持高开关频率设计：凭借快速驱动能力（上升/下降时间<10ns）和宽工作电压范围（4.5V–13.2V），适用于500kHz–1MHz+高频DC-DC拓扑，提升功率密度并减小输出滤波器件尺寸。 该芯片采用SOIC-8封装，集成欠压锁定（UVLO）、耐负瞬态电压（−2V）等保护功能，具备高噪声抑制能力，适用于严苛电磁环境。不适用于高压侧直接驱动或半桥直驱，需搭配专用高侧驱动或自举电路使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ISL6608CBZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 延迟时间 | 20ns |
| 标准包装 | 980 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电流-峰值 | 2A |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 高端和低端，同步 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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