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- 型号： ISL6144IR
- 制造商： Intersil
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL6144IR由Intersil设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL6144IR价格参考。IntersilISL6144IR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL6144IR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL6144IR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL6144IR 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能 ORing（或称“理想二极管”）控制器，专用于替代传统肖特基二极管实现电源冗余与反向电流保护。其典型应用场景包括： - 电信与数据中心电源系统：在多路DC-DC电源并联供电（如48V背板电源）中，作为ORing控制器驱动外部N沟道MOSFET，实现热插拔、无缝冗余切换及防倒灌，提升系统可靠性与效率（相比二极管可降低压降和功耗）。 - 工业自动化与高端服务器：用于12V/5V冗余电源路径管理，支持快速响应（典型关断时间<300ns），防止主备电源切换时的电压跌落或反向电流损坏上游电源模块。 - 高可用性嵌入式系统：如网络交换机、基站电源、医疗设备电源模块等，需满足严格热插拔（Hot-swap）、浪涌抑制及故障隔离要求的场合；ISL6144IR内置过流检测、内部基准和驱动能力，简化外围设计。 - 支持负压检测与双向控制：适用于负逻辑供电架构（如–12V系统），可通过外部电阻配置阈值，灵活适配不同系统需求。 该器件不集成MOSFET，需外接低Rds(on) N-MOSFET构成理想二极管单元，兼顾灵活性与散热优化。其工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、小尺寸SOIC-8封装及成熟可靠性，使其广泛应用于对电源完整性、能效与空间敏感的中高端电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC OR CTRLR N+1 20QFN |
| 产品分类 | PMIC - OR 控制器，理想二极管 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ISL6144IR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 20-QFN-EP (5x5) |
| 内部开关 | 无 |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 20-VQFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 应用 | N+1 电源， 电信/数据通信系统 |
| 延迟时间-关闭 | 250ns |
| 延迟时间-开启 | 1ms |
| 标准包装 | 60 |
| 比率-输入:输出 | N:1 |
| 电压-电源 | 9 V ~ 75 V |
| 电流-电源 | 5mA |
| 电流-输出（最大值） | - |
| 类型 | N+1 ORing 控制器 |
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