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产品简介:
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IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR是ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)推出的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为512K × 8位(4Mb),采用低功耗设计,工作电压为3.3V,访问时间低至10纳秒,支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),封装形式为小型化的SOIC或TSSOP,适合高密度布局。 该型号SRAM广泛应用于对数据读写速度和稳定性要求较高的嵌入式系统与工业电子设备中。典型应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)中的数据缓存;工业控制模块(PLC、HMI)用于实时数据存储;测试测量仪器中需要快速响应的数据暂存;以及医疗设备、汽车电子(非动力系统)等对可靠性要求较高的领域。此外,也适用于消费类高端电子产品,如数字电视、机顶盒和打印机内存扩展。 其高速性能、稳定性和宽温特性使其在需要持续快速访问数据且不允许延迟的关键系统中表现优异。同时,产品符合RoHS环保标准,并支持卷带包装(-TR后缀),便于自动化贴片生产,适用于大批量制造场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 4MB 10NS 36 SOJ |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 36-SOJ |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 4M (512K x 8) |
封装/外壳 | 36-BSOJ |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 800 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
速度 | 10ns |