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  • 型号: IS61WV51216EDBLL-8TLI
  • 制造商: ISSI
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IS61WV51216EDBLL-8TLI由ISSI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61WV51216EDBLL-8TLI价格参考。ISSIIS61WV51216EDBLL-8TLI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IS61WV51216EDBLL-8TLI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IS61WV51216EDBLL-8TLI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC SRAM 8MB 8NS 44TSOP静态随机存取存储器 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async 静态随机存取存储器

产品分类

存储器集成电路 - IC

品牌

ISSI

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

内存,静态随机存取存储器,ISSI IS61WV51216EDBLL-8TLI-

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产品型号

IS61WV51216EDBLL-8TLI

产品种类

静态随机存取存储器

供应商器件封装

44-TSOP2 (10.2x18.4)

包装

托盘

商标

ISSI

存储器类型

SRAM - 异步

存储容量

8 Mbit

存储类型

Asynchronous

安装风格

SMD/SMT

封装

Tray

封装/外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

封装/箱体

TSOP-44

工作温度

-40°C ~ 85°C

工厂包装数量

135

接口

并联

最大工作温度

+ 85 C

最大工作电流

55 mA

最小工作温度

- 40 C

标准包装

135

格式-存储器

RAM

电压-电源

2.4 V ~ 3.6 V

电源电压-最大

3.6 V

电源电压-最小

2.4 V

类型

Asynchronous CMOS SRAM

系列

IS61WV51216EDBLL

组织

512 k x 16

速度

8ns

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