Datasheet下载- 型号： IS61WV51216EDBLL-8TLI
- 制造商： ISSI
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IS61WV51216EDBLL-8TLI由ISSI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61WV51216EDBLL-8TLI价格参考。ISSIIS61WV51216EDBLL-8TLI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IS61WV51216EDBLL-8TLI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IS61WV51216EDBLL-8TLI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISSI（Integrated Silicon Solution Inc）的IS61WV51216EDBLL-8TLI是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），主要应用于对数据存储速度和稳定性要求较高的场景。该型号SRAM容量为512K x 16位，采用并行接口，适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。 典型应用场景包括： 1. 网络设备：如路由器、交换机等，用于高速缓存转发数据包或路由表信息； 2. 通信设备：在基站、光模块等通信硬件中作为临时数据缓冲存储器； 3. 工业控制与自动化：如PLC控制器、工业计算机，用于实时数据处理和缓存； 4. 测试与测量仪器：如示波器、逻辑分析仪，用于高速数据采集和临时存储； 5. 汽车电子系统：用于高级驾驶辅助系统（ADAS）或车载信息娱乐系统中对响应速度要求高的模块； 6. 医疗设备：如成像设备、监护仪器，用于高速图像数据缓存。 该SRAM支持低功耗模式，适用于对功耗有一定要求的便携或嵌入式设备。其高速访问时间（约8ns）和宽温工作范围（工业级温度范围）使其在严苛环境中仍能稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 8MB 8NS 44TSOP静态随机存取存储器 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | ISSI |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,ISSI IS61WV51216EDBLL-8TLI- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IS61WV51216EDBLL-8TLI |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | ISSI |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 8 Mbit |
| 存储类型 | Asynchronous |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-44 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 135 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 55 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 2.4 V |
| 类型 | Asynchronous CMOS SRAM |
| 系列 | IS61WV51216EDBLL |
| 组织 | 512 k x 16 |
| 速度 | 8ns |
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