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  • 型号: IS61WV25616BLL-10TL
  • 制造商: ISSI
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IS61WV25616BLL-10TL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IS61WV25616BLL-10TL由ISSI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61WV25616BLL-10TL价格参考¥11.19-¥13.98。ISSIIS61WV25616BLL-10TL封装/规格:存储器, SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 10ns 44-TSOP II。您可以下载IS61WV25616BLL-10TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IS61WV25616BLL-10TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IS61WV25616BLL-10TL 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)。该型号属于宽 I/O 系列,具有以下关键特性及应用场景:

 基本参数:
- 容量:256K x 16 位(4Mbit)
- 封装形式:TQFP-44 封装
- 工作电压:支持 3.3V 和 2.5V
- 访问速度:10ns 快速访问时间
- 接口类型:同步/异步操作模式

 应用场景:
1. 工业控制  
   IS61WV25616BLL-10TL 的高可靠性和快速响应能力使其非常适合工业自动化设备中的数据缓冲和临时存储。例如,在可编程逻辑控制器(PLC)、数据采集系统、传感器接口等领域中,这款 SRAM 可以提供高效的临时数据存储解决方案。

2. 通信设备  
   在网络路由器、交换机和其他通信设备中,需要快速读写缓存来处理大量数据流。IS61WV25616BLL-10TL 的高速性能能够满足这些需求,确保数据传输的实时性和稳定性。

3. 消费电子  
   某些高端消费电子产品(如图形处理单元、游戏机或多媒体播放器)可能需要高性能的 SRAM 来支持复杂的图像渲染或音频处理任务。该芯片可以作为主处理器的外部缓存,提升整体系统性能。

4. 汽车电子  
   ISSI 的 SRAM 产品广泛应用于汽车电子领域,包括仪表盘显示、导航系统和驾驶辅助系统等。IS61WV25616BLL-10TL 的宽温范围和高可靠性使其特别适合在恶劣环境下工作的汽车应用。

5. 医疗设备  
   在医疗成像设备(如超声波机、CT 扫描仪)中,实时数据处理和存储至关重要。这款 SRAM 能够为图像处理算法提供必要的存储支持,同时保持低延迟和高精度。

6. 军事与航空航天  
   由于其出色的稳定性和抗干扰能力,IS61WV25616BLL-10TL 还可用于军工和航天领域的嵌入式系统中,例如雷达信号处理、卫星通信以及导航系统。

总结来说,IS61WV25616BLL-10TL 凭借其大容量、高速度和高可靠性,适用于对性能要求较高的各种应用场景,特别是在工业、通信、汽车和医疗等行业中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

产品分类

存储器

品牌

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

内存,静态随机存取存储器,ISSI IS61WV25616BLL-10TL-

数据手册

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产品型号

IS61WV25616BLL-10TL

产品种类

静态随机存取存储器

供应商器件封装

44-TSOP II

其它名称

706-1105
IS61WV25616BLL-10TL-ND
IS61WV25616BLL10TL

包装

托盘

商标

ISSI

存储器类型

SRAM - 异步

存储容量

4M (256K x 16)

安装风格

SMD/SMT

封装

Tray

封装/外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

封装/箱体

TSOP-44

工作温度

0°C ~ 70°C

工厂包装数量

135

接口

并联

最大工作温度

+ 70 C

最大工作电流

8 mA

最大时钟频率

100 MHz

最小工作温度

0 C

标准包装

135

格式-存储器

RAM

电压-电源

2.4 V ~ 3.6 V

电源电压-最大

3.6 V

电源电压-最小

2.4 V

类型

Asynchronous

系列

IS61WV25616BLL

组织

256 k x 16

访问时间

10 ns

速度

10ns

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SRAM Part Decoder SRAM Part Decoder IS 61 WV 12816 DBLL - 10 T L I ISSI prefix Temp. Grade Product Family Solder Type Operating Voltage Range/Product Type Package Code Density/Configuration Speed (ns or MHz) Die Rev/Voltage Range • SRAM Product Family • Die Rev/Voltage Range • Temp. Grade • Package Code 61/63 = High Speed Die Rev Blank = Commercial Grade ( 0C to +70°C ) B, B1, B2, B3 = BGA 62 = Low Power Blank-Z I = Industrial Grade ( -40C to +85°C ) CT = Copper TSOP 64 = Automotive High Speed A1 = Automotive Grade (-40C to +85°C) H = sTSOP 65 = Automotive Low Power Voltage Range (WV) A2 = Automotive Grade (-40C to +105°C) J = 300-mil SOJ 66 = Pseudo SRAM ALL = 1.65V to 2.2V A3 = Automotive Grade (-40C to +125°C) K = 400-mil SOJ 67 = Automotive PSRAM BLL = 2.5V to 3.6V LQ = LQFP M, M3, = BGA • Density/Configuration Q = SOP Example: • Operating Voltage Range/ Product Type T/T2 = TSOP 25636 = 256Kx36 Asynchronous SRAM TQ = TQFP 51216 = 512Kx16 C = 5V • Solder Type U = SOP 1M36 = 1Mx36 LV = 3.3V Blank = SnPb WV = Wide Voltage Range L = Lead-free (RoHS Compliant) • Speed (ns or MHz) Synchronous SRAM Example: P = Pipeline, F = Flowthrough 8 = 8ns NLP/NLF/NVP/NVF = No-Wait Option 200 = 200MHz LP/LF: Vcc = 3.3V, VccQ = 3.3V/2.5V VP/VF: Vcc = 2.5V, VccQ = 2.5V QD = QUAD, DD = DDR-II Common I/O: Vcc = 1.8V , VccQ = 1.8V/1.5V QUAD/P, DDR-ll/P Part Decoder IS 61 QDP 2 B4 4M18 A1 - 333 M3 L I Temp. Grade ISSI prefix RoHS Version Package Code Product Type Speed (MHz) Read Latency Burst Type Configuration ODT Option • Product Type • Read Latency (RL): • ODT Option (if supported): • Speed QD = QUAD For QUAD/DDR-II devices: A: No ODT Example: 250 = 250MHz QDP = QUADP Blank = 1.5 clock cycles A1: ODT Option 1 DD = DDR-II, Common I/O For QUADP/DDR-IIP devices: If ODT = HIGH or floating, a high range • Package Code DDP = DDR-IIP, Common I/O Blank = 2.5 clock cycles termination resistance is selected. B4 = 165 ball BGA (13 x 15 mm) 2 = 2.0 clock cycles If ODT = LOW, a low range M3 = 165-ball BGA (15 x 17 mm) • Configuration termination resistance is selected. 51236 = 512Kb x 36 • Burst Type: • RoHS Version A2: ODT Option 2 1M18 = 1Mb x 18 B2 = Burst 2 Blank = Leaded If ODT = HIGH, a high range 1M36 = 1Mb x 36 B4 = Burst 4 L = Lead-free termination resistance is selected. 2M18 = 2Mb x 18 If ODT = LOW or floating, ODT is disabled 2M36 = 2Mb x 36 • Temperature Range 4M18 = 4Mb x 18 Blank = Commercial (0C to 70°C) I = Industrial (-40C to 85°C) www.issi.com • Part Decoder • 2014

RLDRAM Part Decoder IS49NL C 36800 - 25E B L I Temp. Grade ISSI prefix RoHS Version Product Family Package Code I/O Type Speed Grade Configuration • Product Family: • Speed Grade: • Package Code: 49NL = RLDRAM®2 25E - tCK = 2.5ns; tRC = 15ns B = 168-ball FBGA (RLDRAM®3) 49RL = RLDRAM®3 25 - tCK = 2.5ns; tRC = 20ns B = 144-ball FBGA (RLDRAM®2) 33 - tCK = 3.3ns; tRC = 20ns • I/O Type: 5 - tCK = 5ns; tRC = 20ns • RoHS Version: C = Common I/O 093E - tCK = 0.93ns; tRC = 8ns Blank = SnPb S = Separate I/O 093 - tCK = 0.93ns; tRC = 10ns L = Lead-free (RoHS compliant) Blank = RLDRAM®3 107E - tCK = 1.07ns; tRC = 8ns • Temperature Range: 107 - tCK = 1.07ns; tRC = 10ns • Configuration Blank = Commercial (0C to 70°C) 125F - tCK = 1.25ns; tRC = 8ns 288Mb I = Industrial (-40C to 85°C) 125E - tCK = 1.25ns; tRC = 10ns 93200 = 32M x 9 125 - tCK = 1.25ns; tRC = 12ns 18160 = 16M x 18 36800 = 8M x 36 576Mb 96400 = 64M x 9 18320 = 32M x 18 or 2M x 18 x 16 banks 36160 = 16M x 36 or 1M x 36 x 16 banks 1Gb 18640 = 64M x 18 36320 = 32M x 36 www.issi.com • Part Decoder • 2014

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