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  • 型号: IS43R86400D-6TLI-TR
  • 制造商: ISSI
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IS43R86400D-6TLI-TR由ISSI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS43R86400D-6TLI-TR价格参考。ISSIIS43R86400D-6TLI-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IS43R86400D-6TLI-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IS43R86400D-6TLI-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS43R86400D-6TLI-TR是一款高速、低功耗的CMOS动态随机存取存储器(DRAM),属于异步FIFO存储器,容量为64K x 8位,访问时间为5.4ns,工作温度范围为工业级(-40℃至+85℃),采用TQFP封装。

该器件主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场景,常见于通信设备、网络交换设备和工业控制系统中。例如,在路由器和交换机中用于数据包缓存,以提高数据传输效率;在工业控制设备中用于暂存传感器采集的数据或处理中间结果。

此外,IS43R86400D-6TLI-TR也适用于测试测量仪器、医疗电子设备以及汽车电子系统等对稳定性和可靠性要求较高的领域。其高速访问能力和宽温特性使其在恶劣环境中仍能保持稳定运行,满足高可靠性应用场景的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR 512M 166MHZ 66TSOP

产品分类

存储器

品牌

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

IS43R86400D-6TLI-TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

66-TSOP II

包装

带卷 (TR)

存储器类型

DDR SDRAM

存储容量

512M(64M x 8)

封装/外壳

66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

1,500

格式-存储器

RAM

电压-电源

2.3 V ~ 2.7 V

速度

166MHz

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