Datasheet下载- 型号： IS43DR86400C-3DBLI
- 制造商： ISSI
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IS43DR86400C-3DBLI由ISSI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS43DR86400C-3DBLI价格参考。ISSIIS43DR86400C-3DBLI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IS43DR86400C-3DBLI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IS43DR86400C-3DBLI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）是一家专注于高性能存储器和模拟集成电路设计与制造的公司。型号为IS43DR86400C-3DBLI的器件属于其存储器产品线，是一款低功耗、移动型DRAM（动态随机存取存储器），常用于需要高性能和低能耗的便携式电子设备中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 智能手机和平板电脑：作为系统内存，支持多任务处理和高速数据访问，适用于图形处理和操作系统运行。 2. 消费类电子产品：如智能穿戴设备、电子书阅读器等，因其低功耗特性，有助于延长电池续航时间。 3. 工业控制设备：在嵌入式系统中提供快速的数据缓存和临时存储功能，满足工业自动化对响应速度的要求。 4. 网络通信设备：如路由器、交换机等，用于缓存数据包和提升传输效率。 5. 汽车电子系统：例如车载信息娱乐系统（IVI）、驾驶辅助系统（ADAS），对稳定性和可靠性有较高要求。 该DRAM芯片采用CMOS工艺，具备高密度、高速度和低电压工作特点，适合对空间和能效敏感的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IS43DR86400C-3DBLI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-TWBGA (10.5x8) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512M（64M x 8） |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 242 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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