【IRLR3714ZPBF/规格参数】厂家_IRLR3714ZPBF中文资料_价格

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型号： IRLR3714ZPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRLR3714ZPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3714ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供IRLR3714ZPBF价格参考￥询价-￥询价以及International RectifierIRLR3714ZPBF封装/规格参数等产品信息。你可以下载IRLR3714ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3714ZPBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 20V 37A DPAKMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 4.7nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	37 A
Id-连续漏极电流	37 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3714ZPBFHEXFET®
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产品型号	IRLR3714ZPBF
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PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	35 W
Pd-功率耗散	35 W
Qg-GateCharge	4.7 nC
Qg-栅极电荷	4.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	25 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	25 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	7.6 ns
下降时间	4.3 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.55V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	560pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	7.1nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	15 毫欧 @ 15A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	*IRLR3714ZPBF
典型关闭延迟时间	9.2 ns
功率-最大值	35W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Tube
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	75
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	37A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single