Datasheet下载- 型号： IRLML6302GTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML6302GTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML6302GTRPBF价格参考。International RectifierIRLML6302GTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLML6302GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLML6302GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLML6302GTRPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23超小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 95 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.1 nC）和逻辑电平驱动能力（VGS(th) 最大−1.4 V），适合3.3 V或5 V微控制器直接驱动。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低功耗与小尺寸优势； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作同步整流管，提升效率； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的PWM调光开关，响应快、损耗低； ✅ 电机驱动与继电器替代：适用于微型直流电机（如风扇、振动马达）的H桥低端或单路开关，实现无触点可靠控制； ✅ USB接口/Type-C电源路径管理：配合限流IC实现过流保护与反向电流阻断（得益于P-MOSFET天然反向阻断特性）。 该器件工作结温范围宽（−55°C ~ +150°C），符合AEC-Q101（部分批次），亦可用于工业传感器节点、IoT终端等对可靠性与空间敏感的应用。需注意其额定电压为−20 V，最大连续漏极电流为−3.7 A（TA=25°C），设计时应合理降额并加强PCB散热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 780 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 780 mA |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML6302GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLML6302GTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 0.54 W |
| Pd-功率耗散 | 540 mW |
| Qg-GateCharge | 2.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 97pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | IRLML6302GTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 780 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 780mA （Ta） |
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