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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG8P50N120KD-EPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG8P50N120KD-EPBF价格参考。International RectifierIRG8P50N120KD-EPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRG8P50N120KD-EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG8P50N120KD-EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRG8P50N120KD-EPBF 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能高压IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用TO-247封装,额定电压1200 V,额定电流50 A(Tc=25°C),具备增强型软恢复反并联二极管(EPBF代表Enhanced Performance – Built-in Fast diode),优化了开关损耗与EMI特性。 该器件主要应用于中高功率、高频开关场景,典型包括: ✅ 工业变频驱动(如伺服驱动器、PLC控制电机系统),适用于380–690 V交流输入的三相逆变单元; ✅ 不间断电源(UPS)和储能系统(ESS)中的DC/AC逆变模块,凭借低导通压降(VCE(sat) ≈ 2.1 V)和快速关断能力,提升整机效率与热稳定性; ✅ 新能源发电领域,如光伏并网逆变器(尤其集中式或组串式中功率机型)及风力发电变流器的主功率开关级; ✅ 感应加热设备(如电磁炉、工业熔炼电源)和高频焊接电源,依赖其高dv/dt耐受性(≥50 V/ns)与鲁棒短路保护能力(10 µs短路耐受时间); ✅ 电动汽车车载充电机(OBC)及部分DC-DC变换器的高压侧开关(需配合驱动与保护电路使用)。 注:该型号已进入产品生命周期后期(Infineon官网标注为“Not Recommended for New Designs”,建议新设计优先选用更新一代CoolSiC™ MOSFET或TRENCHSTOP™ IGBT系列替代)。实际应用中需严格遵循驱动电压(±20 V)、结温(≤150°C)、PCB散热及米勒钳位等设计规范。