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  • 型号: IRFW730BTMNL
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFW730BTMNL由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFW730BTMNL价格参考。Fairchild SemiconductorIRFW730BTMNL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFW730BTMNL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFW730BTMNL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFW730BTMNL 是 Vishay(威世)推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET,采用 TO-247AC 封装,具有 500V 耐压、10A 连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.55Ω)及快速开关特性。其应用场景主要集中在中高功率、中频开关领域,典型包括:

- 工业电源与开关电源(SMPS):适用于 AC-DC 适配器、服务器/通信电源中的 PFC(功率因数校正)电路或主功率级,承担高频斩波与能量转换任务;  
- 电机驱动系统:用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或通用变频器的逆变桥臂,尤其适合 1–3kW 级别风机、泵类设备的三相驱动;  
- 照明电子镇流器与LED驱动电源:在高频谐振式LED恒流驱动或HID灯镇流器中实现高效、低噪声调光与稳压控制;  
- 不间断电源(UPS)与太阳能逆变器:作为 DC-AC 逆变环节的开关器件,兼顾效率与可靠性(需配合合适散热与驱动设计);  
- 电磁加热与感应加热控制模块:在中频(20–100kHz)谐振逆变电路中承担高频大电流开关功能。

该器件不适用于极高频(>500kHz)或超低压(<12V)应用,且需注意其栅极阈值电压(Vgs(th)≈2–4V)和米勒平台特性,建议搭配专用MOSFET驱动IC以确保快速、抗干扰开通/关断。实际应用中应严格遵循降额设计(如结温≤125°C)、PCB布局优化及过压/过流保护措施。
产品参数 图文手册 常见问题
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