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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL3206PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL3206PBF价格参考。International RectifierIRFSL3206PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFSL3206PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFSL3206PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFSL3206PBF(Infineon Technologies)是一款N沟道增强型高压功率MOSFET,采用TO-264封装,具有600V耐压、39A连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on)典型值为0.075Ω)及快速开关特性。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、服务器/通信电源的主开关管或PFC(功率因数校正)升压开关,支持高频硬开关与软开关拓扑。 2. 电机驱动:适用于工业变频器、泵类/风机控制器及电动工具中的H桥或三相逆变电路,可高效控制中大功率(1–5kW级)交流/直流电机。 3. 不间断电源(UPS)与逆变器:作为DC-AC逆变级核心开关器件,用于在线式UPS、太阳能储能系统逆变模块,兼顾效率与热可靠性。 4. 电磁加热与感应加热:在谐振式(如LLC、串联谐振)加热电源中承担高频(20–100kHz)功率开关任务。 5. 工业电源与电焊设备:满足高浪涌电流、高重复雪崩能量(EAS=730mJ)要求,适用于电焊机主功率变换环节。 该器件内置快速恢复体二极管,具备良好的dv/dt抗扰性与雪崩耐受能力,适合高可靠性、中高功率工业应用。需注意其栅极阈值电压(2–4V)及米勒平台特性,建议搭配专用驱动IC(如Infineon 1ED系列)并优化PCB布局以抑制寄生振荡。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-262MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 210 A |
| Id-连续漏极电流 | 210 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFSL3206PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFSL3206PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6540pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 210 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl3206pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl3206pbf.spi |