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- 型号： IRFR91209AR3603
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR91209AR3603由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR91209AR3603价格参考。HarrisIRFR91209AR3603封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR91209AR3603参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR91209AR3603 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）本身并不生产IRFR91209AR3603型号的MOSFET。该型号实为英飞凌（Infineon Technologies）旗下原IR（International Rectifier）品牌的产品，属于P沟道增强型功率MOSFET单管（非阵列），封装为DPAK（TO-252），最大漏源电压VDS = –100 V，连续漏极电流ID = –9.4 A（TC=25°C），RDS(on)典型值约0.36 Ω。需特别澄清： 1. 品牌归属：IRFR91209AR3603是Infineon（收购IR后延续的IR系列），与Harris Corporation无关联；Harris主营通信、航空电子与国防系统，并不设计或销售分立功率半导体。 2. 分类勘误：“晶体管 - FET，MOSFET - 阵列”描述有误——该器件为单通道P沟道MOSFET，非多管集成阵列（如双/六通道SO-8封装产品）。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：用于同步降压转换器的高边或反激式电源的开关管； - 电机驱动：中小功率有刷直流电机的H桥高侧开关或PWM调速控制； - 负载开关与电源管理：在工业控制板、电池供电设备中实现电源通断、反向电压保护及热插拔控制； - LED驱动与继电器替代：驱动高亮度LED串或替代机械继电器，提升响应速度与可靠性。 综上，该器件适用于中压、中电流的高效开关场景，但须注意其P沟道特性（逻辑电平兼容性、驱动方式与N沟道不同），且实际选型应以Infineon官方数据手册为准。
产品参数
图文手册
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