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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFR421
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR421由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR421价格参考。HarrisIRFR421封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR421参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR421 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）本身并不生产IRFR421型号的MOSFET。IRFR421是由国际整流器公司（International Rectifier，简称IR，后于2015年被英飞凌Infineon收购）设计和推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）表面贴装封装。 该器件典型参数包括：VDS = 100 V，ID（连续）≈ 6.3 A（TC=25°C），RDS(on) ≈ 0.45 Ω（典型值），具备快速开关特性与低栅极电荷，适合中等功率、高频开关应用。 常见应用场景包括： - 直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或主开关管（如Buck、Boost拓扑）； - 电机驱动电路（如小型直流电机、步进电机的H桥或单路驱动）； - 电源管理模块（如电子负载、LED恒流驱动、电池保护电路）； - 工业控制中的继电器/电磁阀驱动、PWM调光/调速； - 消费类电子中的适配器、充电器及嵌入式电源系统。 需注意：Harris Corporation主营通信、航空航天与国防电子系统（如军用无线电、卫星通信设备），其产品线不含分立功率器件。若在某设备中标注“Harris”与“IRFR421”，通常为Harris在其系统中采用了IR生产的该型号MOSFET作为元器件，并非Harris自有品牌产品。选型时应以Infineon（原IR）官方数据手册为准。
产品参数
图文手册
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