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- 型号： IRFR221
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR221由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR221价格参考。HarrisIRFR221封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR221参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR221 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR221 是由 International Rectifier（现已被英飞凌收购）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，并非 Harris Corporation（哈里斯公司）的产品。Harris Corporation 主要专注于通信、航空航天、国防电子系统及集成电路（如FPGA、接口芯片、射频器件等），从未设计或制造过IRFR系列MOSFET。该型号“IRFR”前缀明确代表 International Rectifier（IR），属于其FastIRFET™系列。 IRFR221 的典型参数包括：VDS = 200 V，ID（连续）≈ 2.2 A（TC=25°C），RDS(on) ≈ 3.0 Ω，采用表面贴装DPAK（TO-252）封装，具备快速开关特性与低栅极电荷。 其主要应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源（如AC-DC适配器、DC-DC转换器）中的同步整流或主开关； ✅ 电机驱动电路（如直流有刷电机调速、步进电机驱动的H桥低端开关）； ✅ LED恒流驱动与调光控制； ✅ 电池管理系统的充放电保护开关（如电子保险丝、负载开关）； ✅ 工业控制板、PLC模块中的继电器替代方案（实现固态开关）。 注意：因RDS(on)较高、电流能力有限，不适用于大功率或高频（>100 kHz）场景。选型时需配合合适栅极驱动与散热设计。 综上：IRFR221 属于英飞凌（原IR）产品，非Harris品牌；其应用聚焦于中小功率、中低频开关控制领域，强调可靠性与成本效益。
产品参数
图文手册
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