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  • 型号: IRFR1109A
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1109A由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1109A价格参考。HarrisIRFR1109A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR1109A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR1109A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Harris Corporation(哈里斯公司)本身并不生产IRFR1109A型号的MOSFET。该器件实际由国际整流器公司(International Rectifier,IR)设计与制造,后于2015年被英飞凌(Infineon Technologies)收购。IRFR1109A是一款N沟道增强型功率MOSFET单管(非阵列),采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,额定参数为:VDS=90V,ID=13A(TC=25°C),RDS(on)典型值约0.12Ω。需特别澄清:其分类并非“MOSFET阵列”,而是单通道功率MOSFET;“晶体管 - FET,MOSFET - 阵列”属于常见目录误标或平台归类偏差。

典型应用场景包括:  
- 中小功率DC-DC转换器(如Buck/Boost拓扑)中的主开关管;  
- 电机驱动电路(如直流有刷电机、步进电机的H桥下臂);  
- 电源管理模块中的负载开关、热插拔保护;  
- LED恒流驱动与调光控制;  
- 工业控制板、嵌入式电源系统及汽车电子辅助负载(如车窗升降、风扇控制等符合AEC-Q101可靠性要求的衍生版本)。

注意:IRFR1109A本身为工业级,非车规;若用于汽车环境,需选用经AEC-Q101认证的对应型号(如Infineon的SPB11N90C3)。用户在选型时应以官方数据手册为准,避免因品牌混淆导致技术误用。
产品参数 图文手册 常见问题
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