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  • 型号: IRFP352
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP352由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP352价格参考。HarrisIRFP352封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP352参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP352 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFP352 是由 International Rectifier(现属英飞凌 Infineon)生产的一款N沟道增强型高压功率MOSFET,并非 Harris Corporation(哈里斯公司)的产品。Harris Corporation 主要专注于通信、航空航天、国防电子及半导体(如模拟/混合信号IC、RF器件等),但未设计或制造IRFP352这类功率MOSFET;该型号的原始制造商为International Rectifier(IR),后被英飞凌收购。

IRFP352典型参数:耐压1000V、连续漏极电流约6.8A(Tc=25℃)、Rds(on)约1.4Ω、TO-247封装。其高耐压、中等电流特性使其适用于:

- 开关电源(SMPS):如工业AC-DC适配器、高压辅助电源;
- 电机驱动:中小功率直流电机或步进电机的H桥/半桥驱动;
- 照明电子:高压LED驱动、电子镇流器;
- 逆变器与UPS系统:DC-AC转换中的高压侧开关;
- 电焊设备与感应加热:作为高频硬开关或谐振电路中的功率开关。

需注意:因Rds(on)较高、开关速度中等,不适用于高频(>100kHz)或超低损耗场景;实际应用中需配合足够散热与栅极驱动设计,并考虑雪崩耐量(IRFP352具备一定非重复雪崩能力)。

综上,IRFP352属通用型高压MOSFET,常见于工业电源与功率控制领域,但与Harris Corporation无关联。选型时请以英飞凌(Infineon)官方资料为准。
产品参数 图文手册 常见问题
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