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- 型号： IRFM210BTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFM210BTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFM210BTF价格参考。Fairchild SemiconductorIRFM210BTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFM210BTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFM210BTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFM210BTF 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装（带隔离法兰），额定参数为：VDSS = 200 V，ID（连续）= 1.8 A，RDS(on) ≈ 3.5 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关特性与内置体二极管。 其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的次级侧同步整流或初级侧开关（适用于低电流、中高压场合）； 2. 电机控制：用于小功率直流电机（如风扇、小型泵）的H桥驱动或单路PWM调速开关； 3. 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中作为隔离式电子开关，实现低压逻辑控制高压负载； 4. 电池管理系统（BMS）：用于充放电保护电路中的过流/短路切断开关（需配合驱动与保护IC）； 5. 消费电子与家电：如智能插座、电热控制器、小型家电的电源通断管理等。 该器件具有良好的雪崩耐受能力（UIS额定值），适合存在感性负载或电压尖峰的工况。但因其导通电阻相对较高、电流能力有限，不适用于大电流（>3A）或高频（>100 kHz）高效率应用。设计时需注意散热（建议加装散热器）、栅极驱动稳定性（避免振荡）及静电防护（ESD敏感）。 综上，IRFM210BTF适用于对成本敏感、中等电压、低至中等电流、可靠性要求较高的通用功率开关场景。
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