【IRFIB7N50APBF/规格参数】厂家_IRFIB7N50APBF中文资料_价格

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型号： IRFIB7N50APBF
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFIB7N50APBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIB7N50APBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供IRFIB7N50APBF价格参考以及VishayIRFIB7N50APBF封装/规格参数等产品信息。你可以下载IRFIB7N50APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFIB7N50APBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FPMOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	6.6 A
Id-连续漏极电流	6.6 A
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
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产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIB7N50APBF-
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产品型号	IRFIB7N50APBFIRFIB7N50APBF
Pd-PowerDissipation	60 W
Pd-功率耗散	60 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	520 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	520 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	35 ns
下降时间	28 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1423pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	52nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	520 毫欧 @ 4A，10V
产品目录绘图
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220-3
其它名称	*IRFIB7N50APBF
典型关闭延迟时间	32 ns
功率-最大值	60W
包装	管件
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 全封装，隔离接片
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.6A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single

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