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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFHM8330TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8330TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8330TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8330TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHM8330TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM8330TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFHM8330TRPBF（Infineon Technologies）是一款采用超小型DirectFET®封装的N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅2.4 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC转换器：广泛用于服务器、通信电源、GPU/CPU供电模块（如POL点负载变换器），支持高频同步整流，降低导通与开关损耗； - 电池管理系统（BMS）与电动工具/无人机电池保护电路：凭借低Rds(on)和强短路耐受能力，适用于充放电路径控制、过流/过温保护开关； - 电机驱动：用于中小功率无刷直流（BLDC）电机的半桥/全桥驱动（如风扇、泵、便携式家电），满足紧凑布局与散热受限需求； - LED照明驱动：在高密度LED恒流驱动或调光电路中作PWM开关元件； - 工业自动化与PLC模块：作为固态继电器（SSR）替代方案，实现快速、可靠、无触点的负载开关控制。 该器件支持表面贴装（SMD），具备优异的PCB散热能力（DirectFET结构使源极直接连接至PCB铜箔），适用于空间敏感、高功率密度的设计场景。注意其栅极阈值电压（Vgs(th)）为1.2–2.5V，需匹配驱动电路以避免误开通，并建议使用足够驱动能力的栅极驱动IC确保快速开关与抗干扰性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFHM8330TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | IRFHM8330TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta） |
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