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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH8337TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH8337TRPBF价格参考。International RectifierIRFH8337TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH8337TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH8337TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH8337TRPBF是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用5×6 mm² PQFN封装,具有超低导通电阻(RDS(on)典型值仅2.1 mΩ @ VGS=10 V)、快速开关特性及优异的热性能。其主要应用场景包括: - 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步降压(Buck)转换器,作为高侧或低侧开关,提升能效与功率密度; - 电机驱动系统:适用于小型BLDC电机驱动(如无人机电调、电动工具、风扇控制),支持高频PWM调制与大电流瞬态响应; - 电池管理系统(BMS)与负载开关:凭借低导通损耗和强短路耐受能力,用于电池保护电路、热插拔(Hot-swap)及智能负载开关; - LED照明驱动:在高亮度LED恒流驱动中用作PWM调光开关,实现高效、低噪声调光控制; - 车载辅助电源:满足AEC-Q101可靠性标准(注:该型号为工业级,非车规;若需车规应用,应选用同系列车规型号如IRFH8337TRPBF的AEC-Q101认证版本IRFH8337TRPBF-1),但常被用于车载信息娱乐、ADAS供电模块等对效率要求严苛的非安全关键场景。 其紧凑封装与优异热阻(RθJA≈40°C/W)特别适合空间受限、散热条件有限的高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFH8337TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.8 毫欧 @ 16.2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
| 其它名称 | IRFH8337TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 35A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh8337pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh8337pbf.spi |