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Datasheet下载- 型号： IRFH5302DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5302DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5302DTRPBF价格参考。International RectifierIRFH5302DTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH5302DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5302DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRFH5302DTRPBF 的晶体管属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，属于单管封装。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电源管理系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与转换：用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，提供高效能的功率转换。 2. 负载开关与电源分配：在服务器、通信设备和工业控制系统中，作为负载开关控制电源的通断。 3. 马达控制与驱动：用于直流马达、步进马达或BLDC马达的驱动电路中，实现精准的转速与扭矩控制。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、储能系统或高功率电池组中，用于充放电控制与保护电路。 5. 工业自动化设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源模块等，用于提高系统效率和可靠性。 6. 消费类电子产品：如高功率LED照明、充电器、UPS（不间断电源）等。 该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适用于中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFH5302DTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3635pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Ta）， 100A （Tc） |
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