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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFH5255TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5255TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5255TRPBF价格参考。International RectifierIRFH5255TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH5255TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5255TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH5255TRPBF是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用5×6 mm PQFN封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值仅9.5 mΩ @ Vgs=10V）、快速开关特性及优异的热性能。其典型应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步降压（Buck）转换器，作为高边或低边开关，提升能效与功率密度； - 电机驱动系统：适用于小型BLDC（无刷直流）电机控制、风扇驱动及电动工具等中功率电机驱动电路，支持高频PWM调速； - 负载开关与热插拔应用：凭借低Rds(on)和强抗雪崩能力，可作为电源轨的智能负载开关，实现浪涌电流抑制与过流保护； - LED照明驱动：用于恒流LED驱动器的开关管，满足高频率、高可靠性的调光需求； - 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或轻型储能系统中，用作充放电路径的主控MOSFET。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平驱动（Vgs(th)为1.2–2.2V），具备RoHS合规、无卤素、符合AEC-Q101可靠性标准（部分批次），兼具工业级温度范围（–55°C 至 +150°C）与高鲁棒性，适用于对尺寸、效率与可靠性要求严苛的紧凑型电源与功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFH5255TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 988pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta）， 51A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5255pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5255pbf.spi |
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