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- 型号： IRFF9130
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFF9130由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFF9130价格参考。HarrisIRFF9130封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFF9130参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFF9130 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFF9130 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的一款P沟道增强型垂直MOSFET（单管），采用TO-220AB封装，具有–100V漏源电压（VDS）、–9.4A连续漏极电流（ID，TC=25°C）、典型导通电阻RDS(on)为0.5Ω（VGS=–10V）。其设计侧重于高耐压与中等功率开关性能。 主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：常用于反激式、正激式或同步整流辅助电路中的高压侧开关或负载开关； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流电机的H桥驱动（作为上桥臂P-MOSFET，配合N-MOSFET实现电平移位驱动）； ✅ 电源管理与保护电路：如电子保险丝、热插拔（Hot-swap）控制、电池反接保护及负载断开开关（Load Switch），利用其低导通损耗与快速关断特性； ✅ 工业控制与照明驱动：在LED恒流驱动、继电器替代、PLC输出模块等需高压、中速开关的场合； ✅ 消费类电源适配器与UPS系统：用于待机电源、辅助供电回路或输入级过压/过流保护开关。 需注意：该器件为P沟道，栅极需负压驱动（典型VGS = –10V），驱动电路需匹配；且未集成体二极管续流优化（体二极管反向恢复性能一般），不推荐用于高频硬开关谐振拓扑。现已被Infineon更高效、更小封装的新系列（如OptiMOS™ P系列）逐步替代，但仍在部分成熟工业设备中继续使用。
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