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  • 型号: IRFF423
  • 制造商: Harris
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFF423由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFF423价格参考。HarrisIRFF423封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFF423参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFF423 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFF423 是一款由国际整流器公司(International Rectifier,现属英飞凌)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装(非绝缘),具有 250V 耐压、1.8A 连续漏极电流(Tc=25℃)、典型导通电阻 Rds(on) 约 3.5Ω(Vgs=10V),开关速度中等,驱动要求较低。

其主要应用场景包括:  
✅ 中小功率开关电源中的次级侧同步整流或辅助电源开关;  
✅ 直流电机控制(如小型风扇、玩具电机、办公设备驱动),适用于 24–48V 低压直流系统;  
✅ LED 驱动电路中的恒流/调光开关,尤其适合线性+PWM 混合调光方案;  
✅ 工业控制板、PLC 模块中的负载开关与继电器替代(驱动电磁阀、指示灯等感性/阻性负载);  
✅ 电池供电设备(如便携仪器、安防传感器)中的电源通断管理与反向极性保护电路。

需注意:IRFF423 属于早期通用型MOSFET,不适用于高频(>100kHz)或大电流(>3A)场景;设计时应确保栅极驱动电压≥10V以充分导通,并配合适当的散热(如加散热片)及漏源过压/雪崩保护。目前已逐步被更高效、更低 Rds(on) 的新型器件(如 IRFZ44N 或 OptiMOS 系列)替代,但因其成熟可靠、成本低,在维修替换及低成本工业应用中仍有使用。
产品参数 图文手册 常见问题
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