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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFD1Z3
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD1Z3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD1Z3价格参考。HarrisIRFD1Z3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFD1Z3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD1Z3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）历史上曾涉足半导体业务，但其半导体部门已于1998年被Intersil收购；而IRFD1Z3实际为International Rectifier（国际整流器公司，后被Infineon收购）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-251（IPAK）表面贴装封装，非Harris原产。可能存在品牌混淆或历史分销关系。 IRFD1Z3典型参数：VDS=500V，ID=0.7A（连续），RDS(on)≈12Ω（@VGS=10V），具备快速开关特性与内置体二极管。 主要应用场景包括： - 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动器中的高频控制开关； - 电机控制电路：用于直流小电机（如风扇、玩具、办公设备）的PWM调速与启停； - 继电器/电磁阀驱动：作为低功耗隔离驱动级，替代机械继电器； - 电池管理与保护电路：在便携式设备中实现充放电通断控制； - 工业控制模块：PLC输出接口、传感器信号切换等对可靠性要求适中的场合。 其TO-251封装便于自动化贴片，适合空间受限的消费电子与嵌入式系统。需注意：设计时应确保栅极驱动电压≥10V以充分导通，并合理布局散热（虽为小电流器件，但高压应用下仍需关注SOA安全工作区）。 （注：选用时请以Infineon官方数据手册为准，避免误用Harris品牌标识。）
产品参数
图文手册
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