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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFAF50由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFAF50价格参考。International RectifierIRFAF50封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFAF50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFAF50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFAF50 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道增强型射频功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,专为高频、中等功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括: 1. 业余无线电(HAM Radio)发射机末级功放:适用于 1.8–30 MHz 短波波段,支持 AM、SSB、CW 等调制方式,具备良好线性度与热稳定性; 2. VHF/UHF 小型基站或中继台功放模块:在 136–174 MHz(VHF)及 400–470 MHz(UHF)频段提供高效、可靠的功率放大(典型输出功率达 50–100 W PEP); 3. RF 信号发生器与实验室测试设备中的驱动级/输出级:适合需要宽频带响应(DC 至数百 MHz)、低失真和快速开关特性的场合; 4. 工业/医疗射频源(如等离子体发生器、感应加热驱动电路):利用其高击穿电压(VDSS = 250 V)、低导通电阻(RDS(on) ≈ 0.12 Ω)和优异的雪崩耐受能力,实现稳健运行。 需注意:该器件需配合匹配网络、良好散热(建议加装散热器)及稳定栅极驱动(避免过压/振荡),并遵循数据手册推荐的偏置点(通常采用 AB 类工作模式)以兼顾效率与线性度。不适用于数字开关或低频大电流电源场景。