【未分类_IRFAE20】封装/厂家_IRFAE20中文资料_价格

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型号： IRFAE20
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFAE20由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFAE20价格参考。International RectifierIRFAE20封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFAE20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFAE20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFAE20 是英飞凌（Infineon）推出的一款 N 沟道增强型射频 MOSFET，采用 TO-220AC 封装，专为高频、中功率射频放大应用优化。其典型应用场景包括：  
1. 业余无线电（HAM Radio）发射机末级功放：工作频率可达 30–175 MHz（如 6m/2m/70cm 波段），支持连续波（CW）与调幅（AM）、调频（FM）等模拟调制信号的线性放大；  
2. VHF/UHF 宽带射频功率放大模块：常用于无线麦克风、对讲机基站、小型中继台等设备中，提供约 10–20 W 输出功率（在 144 MHz 典型条件下）；  
3. 射频测试与教学实验平台：因引脚兼容、驱动简单、热稳定性较好，适合高校射频电路课程及实验室搭建 LDMOS 放大器原型；  
4. 工业与医疗射频源辅助放大：如低功率等离子体激励、RFID 读写器增强模块等非通信类中频射频应用（需注意其非针对 ISM 频段专门认证）。  

需注意：IRFAE20 属于早期射频 MOSFET（已停产，多由 IRF8910 等新型号替代），设计时应严格遵循数据手册推荐的栅极驱动电压（±20 V max）、匹配网络（输入/输出阻抗50 Ω共轭匹配）、散热要求（建议加装足够面积散热器）及过压/过流保护措施，避免因驻波比（VSWR）过高或失配导致器件损坏。不适用于开关电源或数字开关场景。

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