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- 型号： IRF9512
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9512由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9512价格参考。HarrisIRF9512封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9512参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9512 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9512 是由 International Rectifier（现属英飞凌科技）生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET，并非 Harris Corporation（哈里斯公司）的产品。Harris Corporation 主要专注于通信、航空航天、国防电子系统及集成电路（如模拟/混合信号芯片、FPGA配套器件等），但未设计或量产 IRF9512 这类功率 MOSFET。该型号的制造商为 International Rectifier（IR），后于2015年被英飞凌收购。 IRF9512 的典型参数包括：VDS = –60 V，ID = –4.5 A（连续），RDS(on) ≈ 0.5 Ω（VGS = –10 V），采用 TO-220AB 封装。其主要应用场景包括： - DC-DC 转换器中的同步整流或高边开关（尤其适用于负压或反向极性保护电路）； - 电机驱动电路中的方向控制或制动开关（如小型直流有刷电机的 H 桥上管）； - 电源管理中的负载开关与过压/反接保护（利用其P沟道特性实现低压降、免驱动电平转换的高边控制）； - 电池供电设备的电源通断控制（如便携仪器、工业传感器模块的电源隔离）。 需注意：因 RDS(on) 相对较高，不适用于大电流或高频（>100 kHz）开关场景；设计时应确保栅极驱动能力充足，并注意 SOA（安全工作区）限制。 综上，IRF9512 属于通用中功率P-MOSFET，广泛用于中低频电源与控制电路，但与 Harris Corporation 无品牌或技术归属关系。
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