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  • 型号: IRF9510R4941
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9510R4941由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9510R4941价格参考。Fairchild SemiconductorIRF9510R4941封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9510R4941参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9510R4941 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF9510R4941(实际应为IRF9510,后缀“R4941”非标准型号编码,可能为批次号或误标;Fairchild已并入ON Semiconductor)是一款P沟道增强型功率MOSFET,VDSS = −100 V,ID = −4.9 A(TC = 25°C),RDS(on) ≈ 1.2 Ω(VGS = −10 V)。其典型应用场景包括:

- DC-DC电源转换:用于同步降压(Buck)电路的上管或反激/半桥拓扑中的高压侧开关,实现高效电能转换。  
- 电机控制:驱动中小功率直流有刷电机(如风扇、泵、玩具车),配合N-MOSFET构成H桥实现正反转与PWM调速。  
- 负载开关与电源管理:在电池供电系统中作为高边开关,实现低功耗待机控制、电源通断保护及反向电流阻断(因P-MOSFET天然支持高边配置)。  
- 工业控制与继电器替代:用于PLC输出模块、LED恒流驱动或电磁阀驱动,提供快速开关、低驱动损耗和长寿命优势。  

该器件采用TO-220封装,具备良好散热性,适用于中频(≤100 kHz)开关应用。需注意其栅极阈值电压VGS(th)典型值为−2 V至−4 V,设计时应确保驱动电压足够(推荐−10 V以充分导通),并添加栅极电阻抑制振荡。不适用于高频射频或大电流(>5 A持续)场景,同类更高性能替代型号可考虑ON Semi的FQP4P10或FMMT718。
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