图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF8306MTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8306MTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8306MTRPBF价格参考。International RectifierIRF8306MTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF8306MTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8306MTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF8306MTRPBF是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅4.5 mΩ @ VGS = 10 V，6.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID连续达60 A）、快速开关特性及内置ESD保护。其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1.0–2.0 V）使其可直接由3.3 V或5 V微控制器IO口驱动，无需额外栅极驱动器。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK转换器的下管（low-side switch），提升效率（尤其在12 V输入、1–5 V输出的通信/服务器电源中）； ✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥低端开关，如打印机、电动工具、家用电器控制模块； ✅ 负载开关与电源管理：作为板级热插拔（hot-swap）、电源轨ON/OFF控制或电池保护电路中的主开关，利用其低RDS(on)减小压降与功耗； ✅ LED驱动与照明系统：用于PWM调光的恒流LED驱动电路中作高速开关； ✅ 工业PLC模块与嵌入式电源：因SO-8封装尺寸紧凑、可靠性高（符合AEC-Q101应力测试标准），适用于空间受限且需稳定运行的工业控制场景。 该器件不适用于高压（>60 V）或高频（>1 MHz）谐振拓扑，但凭借高性价比与易用性，在中低压、中大电流（≤60 A脉冲）、中频（≤500 kHz）开关应用中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRF8306MTRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 23A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 4,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta）， 140A （Tc） |
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