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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7601PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7601PBF价格参考。International RectifierIRF7601PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7601PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7601PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7601PBF 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用SO-8封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 0.035Ω @ VGS = 4.5V)、高开关速度和100%通过雪崩能量测试等特点。其典型应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于负载点(POL)电源、主板VRM、通信设备电源模块等对效率和热性能要求较高的场合。 - 电池供电系统:凭借逻辑电平驱动能力(可直接由3.3V或5V MCU GPIO驱动),适用于便携式设备、电动工具、无绳家电中的电机驱动与电源管理电路。 - 负载开关与电源路径管理:用于USB供电、电池充放电保护、热插拔控制等,实现快速启停与过流/短路保护功能。 - LED驱动与照明控制:作为恒流源开关或PWM调光开关,用于智能照明、汽车内饰灯等中低功率LED应用。 - 工业控制接口:在PLC输出模块、继电器替代电路及传感器驱动中承担高效、可靠的开关功能。 该器件具备良好的热稳定性与抗dv/dt干扰能力,适用于高频(可达1MHz以上)、中等电流(连续漏极电流ID = 7.2A,脉冲达28A)的开关场景,但不适用于高压(最大VDS = 30V)或大功率硬开关主回路。设计时需注意PCB散热与栅极驱动阻抗匹配,以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF7601PBF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 3.8A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
| 标准包装 | 80 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.7A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7601.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7601.spi |